大陸科技部宣布,在2萬多名科技工作者九年多努力下,大陸半導體製造技術已實現五級跳,從130奈米躍升至14奈米,預計2018年14奈米的設備、技術、封裝、材料等方面將全面進入產業化。此外,大陸更計畫在「十三五」期間(2016年至2020年)重點支持7至5奈米技術和3D NAND快閃記憶體等國際先進技術研發,支持中國企業在半導體產業實現自主發展,形成特色優勢。
目前中國大陸製造的電子產品已占全球約41%,但半導體自給率卻只有7%左右。2006年起,半導體產品更超越石油成為中國最大宗進口產品,2013年以來,年進口額均超過2,000億美元。
為實現半導體產業自主創新發展,大陸國務院2008年啟動「極大規模集成電路製造裝備及成套工藝」國家科技重大專項計畫,大陸科技部重大專項辦公室主任陳傳宏表示,該專項由北京市和上海市政府帶頭組織實施,共有200多家企事業單位、2萬多名科學工作者參與技術攻關,集中在北京、上海、江蘇、瀋陽、深圳和武漢等六個產業聚集區。
據北京經濟日報及中國證券網報導,科技部與北京及上海市政府23日聯袂舉行「極大規模集成電路製造裝備及成套工藝」成果發布會。
該專項計畫技術總師、中國科學院微電子研究所所長葉甜春表示,該專項實施前,中國積半導體高端裝備和材料基本處於空白狀態,完全依賴進口。
葉甜春指出,通過2萬科技工作者九年的努力,中國已研製成功14奈米刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產品,性能達到國際先進水準
葉甜春說,2008年以前,大陸積體電路製造最先進的量產工藝為130奈米,研發工藝為90奈米。
專項實施至今,主流工藝水準提升五代,55、40、28奈米三代成套工藝研發成功並實現量產,22、14奈米先導技術研發取得突破,形成了自主智財權;封裝企業從低端進入高端,中國借助這些技術所製造的智慧手機、智慧卡等晶片產品已大量進入市場,提高了中國資訊產業的競爭力。
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